原子層沉積系統(tǒng)
發(fā)表時間：2023-09-08
原子層沉積系統(tǒng)定義
原子層沉積系統(tǒng)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。它與普通的化學沉積過程相似，但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學反應是直接與之前一層相關聯(lián)的，這種方式使得每次反應只沉積一層原子。
原子層沉積系統(tǒng)原理
原子層沉積是通過將氣相前驅(qū)體脈沖交替地通入反應器并在沉積基體上化學吸附并反應而形成沉積膜的一種方法。當前驅(qū)體達到沉積基體表面，它們會在其表面化學吸附并發(fā)生表面反應。在前驅(qū)體脈沖之間需要用惰性氣體對原子層沉積反應器進行清洗。任何氣相物質(zhì)在材料表面都可以進行物理吸附，但是要在材料表面的化學吸附必須具有一定的活化能，因此能否實現(xiàn)原子層沉積，選擇合適的反應前驅(qū)體物質(zhì)是很重要的。
原子層沉積工藝流程
1. 前驅(qū)體A脈沖進入反應室，在暴露的襯底表面發(fā)生化學吸附反應。
2. 惰性氣體吹掃，剩余的未反應的前驅(qū)體A。
3. 前驅(qū)體B脈沖進入反應室，與前驅(qū)體A發(fā)生化學反應。
4. 惰性氣體吹掃，剩余的未反應的前驅(qū)體和副產(chǎn)物。
以上流程并不是唯一的原子層沉積工藝流程，具體流程可能會因?qū)嶋H應用場景
和具體工藝要求而有所不同，但基本原理是一致的。
原子層沉積系統(tǒng)特點
1. 良好的成膜性能，膜厚均勻性高，≤3%
2. 優(yōu)異的真空性能，真空度≤5Pa
3. 觸控操作，簡單易用；
原子層沉積應用領域
原子層沉積技術（ALD）的應用領域非常廣泛。
在集成電路制造中，ALD技術主要用于薄膜沉積，如高k（high-k）材料、金屬柵、電容電極等工藝環(huán)節(jié)。
在集成電路制造中，ALD技術主要用于薄膜沉積，如高k（high-k）材料、金屬柵、電容電極等工藝環(huán)節(jié)。
在光伏領域，ALD技術可用于制造光伏電池，提高其效率和穩(wěn)定性。
在顯示領域，ALD技術可用于制造OLED顯示器等。
此外，ALD技術在航空航天、能源環(huán)保等新興領域也有著廣泛的應用前景。
